MUR340SR7

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 400 В, ток до 3 А, с падением напряжения 1.25 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
MUR305S thru MUR360S Taiwan Semiconductor CREAT BY ART FEATURES Surface Mount Ultrafast Power Rectifiers - Glass passivated chip junction - Ideal for automated placement - Built-in strain relief - Ultrafast recovery time for high efficiency - Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA Case: DO-214AB (SMC) DO-214AB (SMC) Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free) Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.21 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL MUR MUR MUR MUR MUR MUR 305S 310S 315S 320S 340S 360S Unit Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 50 100 150 200 400 600 V Maximum RMS voltage VRMS 35 70 105 140 280 420 V Maximum DC blocking voltage VDC 50 100 150 200 400 600 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 3 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 75 A Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) IF= 3 A, 25℃ IF= 3 A, 150℃ VF 0.875 0.710 1.25 1.05 V Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃ TJ=150 ℃ IR 5 150 10 250 μA Maximum reverse recovery time (Note 2) Trr 25 50 Typical thermal resistance Operating junction temperature range Storage temperature range ns O RθJL 11 TJ - 55 to +175 O C - 55 to +175 O C TSTG C/W Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Document Number: DS_D1405070 Version: F14 PDF
Документация на MUR320SR7G 

MUR305S SERIES_F14.xls

Дата модификации: 27.05.2014

Размер: 198.3 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.