HS3GBR5G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 400 В, ток до 3 А, с падением напряжения 1.3 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AA
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P- HS3GB (YJ)
 
DO214AA 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM)

Файлы 1

показать свернуть
HS3AB - HS3MB creat by ART 3.0AMPS High Efficient Surface Mount Rectifiers SMB/DO-214AA Features — Glass passivated junction chip. — For surface mounted application — Low forward voltage drop — Low profile package — Built-in stain relief, ideal for automatic placement — Fast switching for high efficiency — High temperature soldering: 260℃/10 seconds at terminals — Meet MSL level 1, per J-STD-020D, lead free maximum peak of 260℃ — Plastic material used carries Underwriters Laboratory Classification 94V-0 — Green compound with suffix "G" on packing code & prefix "G" on datecode Mechanical Data — — Case: Molded plastic Terminal: Pure tin plated, lead free — Polarity: Indicated by cathode band — Packing: 12mm tape per EIA STD RS-481 — Weight: 0.093 grams Ordering Information (example) Part No. Package Packing HS3AB SMB 850 / 7" REEL Packing code Packing code (Green) R5 R5G Maximum Ratings and Electrical Characteristics Rating at 25 ℃ ambient temperature unless otherwise specified. Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM HS 3AB 50 Maximum RMS Voltage VRMS 35 70 140 210 280 420 560 700 V Maximum DC Blocking Voltage VDC 50 100 200 300 400 600 800 1000 V Maximum Average Forward Rectified Current IF(AV) 3 A Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC method) IFSM 100 A Parameter Symbol Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1) @3A Maximum Reverse Current @ Rated VR TA=25 ℃ TA=125 ℃ VF HS 3BB 100 HS 3DB 200 HS 3FB 300 HS 3GB 400 HS 3JB 600 HS 3KB 800 HS 3MB 1000 1.0 1.3 uA 250 50 75 Typical Junction Capacitance (Note 3) Cj 80 50 Storage Temperature Range V 10 IR Trr Operating Temperature Range V 1.7 Maximum Reverse Recovery Time (Note 2) Typical Thermal Resistance Unit nS pF O RθjA 60 TJ - 55 to + 150 O C - 55 to + 150 O C TSTG C/W Note 1: Pulse Test with PW=300 usec, 1% Duty Cycle Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C. Version:I13 PDF
Документация на HS3ABR5G 

HS3AB SERIES_I13.xls

Дата модификации: 15.07.2013

Размер: 436.4 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)