HS1M

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.7 В, ёмкостью перехода 15 пФ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид MRA4007T3G

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AA
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 20

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= HS1M R2 (TSC)
 
DO-214AC SMA в ленте 7500 шт Выпрямительный диод - [DO-214AC]; Uобр: 1 кВ; Uпрям: 1.7 В; Iпрям: 1 А; N: 1; tов: 75 н... — — — — —
P= HS1M (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= US1M M2G (TSC)
 
DO-214AC SMA — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= US1MG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
 — — — — — —
P= US1M-A (ANBON)
 
DO214AC
 
 — — — — — — — — — — —
P= US1M (YOUTAI)
 

US1M (DIODES) 		DO-214AC SMA в ленте 2000 шт —
P= US1M (DC)
 

US1M (DIODES) 		DO214AC в ленте 7500 шт —
P= US1M SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — — — — —
P= HFM108 (LRC)
 
DO-214AC SMA — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P- US1MH (TSC)
 
—
 
 — — — — — — — — — — —
P- US1M (YJ)
 

US1M (DIODES) 		DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM)
A- GS1MB (YJ)
 
DO214AA 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AA
A- HS1MB (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AA
A- S1M (DC)
 

S1M (ONS-FAIR) 		DO214AA в ленте 3000 шт — —
A- HS2M (YJ)
 
DO214AA 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 1000V V(RRM)
A- GR1MB (YJ)
 
DO214AA 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AA
A- GR2M (YJ)
 
DO214AA 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM)
A- GS2M (YJ)
 
DO214AA 3000 шт — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AA
A- S2M (DC)
 

S2M (ONS-FAIR) 		DO214AA в ленте 6000 шт — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AA
A- S2M (YJ)
 

S2M (ONS-FAIR) 		DO214AA
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AA

Файлы 1

показать свернуть
HS1A THRU HS1M 1.0 AMP. High Efficient Surface Mount Rectifiers Voltage Range 50 to 1000 Volts Current 1.0 Ampere SMA/DO-214AC Features         Glass passivated junction chip. For surface mounted application Low forward voltage drop Low profile package Built-in stain relief, ideal for automatic placement Fast switching for high efficiency High temperature soldering: 260℃/10 seconds at terminals Plastic material used carries Underwriters Laboratory Classification 94V-O .062(1.58) .050(1.27) .111(2.83) .090(2.29) .187(4.75) .160(4.06) .091(2.30) .078(1.99) .012(.31) .006(.15) Mechanical Data      .008(.20) .004(.10) .056(1.41) .035(0.90) Cases: Molded plastic Terminals: Solder plated Polarity: Indicated by cathode band Packing: 12mm tape per E1A STD RS-481 Weight: 0.064 gram .210(5.33) .195(4.95) Dimensions in inches and (millimeters) Maximum Ratings and Electrical Characteristics Rating at 25℃ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20% Symbol HS HS HS Type Number 1A Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage Maximum RMS Voltage Maximum DC Blocking Voltage Maximum Average Forward Rectified Current See Fig.2 Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC method ) Maximum Instantaneous Forward Voltage @ 1.0A Maximum DC Reverse Current @ TA =25℃ at Rated DC Blocking Voltage @ TA=100℃ Maximum Reverse Recovery Time ( Note 1 ) Typical Junction Capacitance ( Note 2 ) VRRM VRMS VDC 50 35 50 1B 1D HS 1F HS 1G HS 1J HS 1M 100 200 300 400 600 800 1000 70 140 210 280 420 560 700 100 200 300 400 600 800 1000 Units V V V I(AV) 1.0 A IFSM 30 A 1.0 VF 1.3 1.7 5.0 100 IR 50 20 Trr Cj RθJA 70 Operating Temperature Range TJ -55 to +150 Storage Temperature Range TSTG -55 to +150 Notes: 1. Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A 2. Measured at 1 MHz and Applied VR=4.0 Volts 3. Mounted on P.C.B. with 0.2”x0.2” ( 5 x 5 mm ) Copper Pad Areas. Maximum Thermal Resistance ( Note 3 ) HS 1K - 300 - 75 15 V uA uA nS pF ℃/W ℃ ℃ PDF
Документация на HS1M 

ChipFind - Manufacturer datasheet and components documentation Datasheet Manufacturer application notes

Дата модификации: 27.04.2006

Размер: 70.7 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD01060E (CREE PWR)