HS1JR3

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 800 В, ток до 1 А , производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214AC
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P- HS1J (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P- US1J (TSC)
 
DO214AC — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P- US1JR3G (TSC)
 
— — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P- US1J (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM)

Файлы 1

показать свернуть
HS1A thru HS1M Taiwan Semiconductor CREAT BY ART High Efficient Surface Mount Rectifiers FEATURES - Glass passivated chip junction - Ideal for automated placement - Low forward voltage drop - Fast switching for high efficiency - Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA Case: DO-214AC (SMA) Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 DO-214AC (SMA) Base P/N with suffix "G" on packing code - Green compound (halogen-free) Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.06 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL HS HS HS HS HS HS HS HS 1A 1B 1D 1F 1G 1J 1K 1M UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 50 100 200 300 400 600 800 1000 V Maximum RMS voltage VRMS 35 70 140 210 280 420 560 700 V Maximum DC blocking voltage VDC 50 100 200 300 400 600 800 1000 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 1 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 30 A Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @1A Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃ TJ=100℃ TJ=125 ℃ VF 1.0 1.3 1.7 5 IR 50 μA 150 Maximum reverse recovery time (Note 2) Trr 50 75 Typical junction capacitance (Note 3) Cj 20 15 Typical thermal resistance Operating junction temperature range Storage temperature range V ns pF O RθJA 70 TJ - 55 to +150 O C - 55 to +150 O C TSTG C/W Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C. Document Number: DS_D1405050 Version: I14 PDF
Документация на HS1BF3 

HS1A SERIES_I14.xls

Дата модификации: 27.05.2014

Размер: 371.2 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)