ES1D

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 1 А, с падением напряжения 950 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 20

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- ES2D SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — — — —
A- US1D (YJ)
 

US1D (DIODES) 		DO214AC в ленте 5000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM)
A- ES1D (YJ)
 

ES1D (ONS-FAIR) 		DO214AC в ленте 5000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- ES2DA (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon
A- HS1D (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- MURS120 (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
A- MURS220A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
A- MURS120 SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — — — —
A- US1D (DC)
 

US1D (DIODES) 		DO214AC в ленте 1800 шт —
A- ES1D (DC)
 

ES1D (ONS-FAIR) 		DO214AC в ленте 7500 шт — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- ES1D SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — —
A- HS2DA (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM)
A- SS120A (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- SS120AQ (YJ)
 
— 60 шт
 
 — Surface Mount Schottky Rectifier
A- SS220A (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- ES2DAQ (YJ)
 
DO214AC Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier
A- UG1D (YJ)
 
DO214AC 5000 шт — —
A- US1D (JSCJ)
 

US1D (DIODES) 		DO214AC
 
 — — — —
A- US2D SMAG (JSCJ)
 
DO214AC
 
 — — — — —
A- UG2DA (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
ES1A – ES1J Taiwan Semiconductor 1A, 50V - 600V Super Fast Surface Mount Rectifier FEATURES ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS Glass passivated chip junction Ideal for automated placement Super fast recovery time for high efficiency Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT IF 1 A VRRM 50 - 600 V IFSM 30 A TJ MAX 150 °C APPLICATIONS ● ● ● ● ● DC to DC converter Switching mode converters and inverters Lighting application Snubber Freewheeling application Package DO-214AC (SMA) Configuration Single die MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● Case: DO-214AC (SMA) Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.060g (approximately) DO-214AC (SMA) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL ES1A ES1B ES1C ES1D ES1F ES1G ES1H ES1J UNIT Marking code on the device ES1A ES1B ES1C ES1D ES1F ES1G ES1H ES1J Repetitive peak reverse voltage VRRM 50 100 150 200 300 400 500 600 V Reverse voltage, total rms value VR(RMS) 35 70 105 140 210 280 350 420 V Forward current Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load Junction temperature IF 1 A IFSM 30 A TJ - 55 to +150 °C Storage temperature TSTG - 55 to +150 °C 1 Version: O2112 PDF
Документация на ES1A 

Дата модификации: 17.12.2021

Размер: 558.8 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD01060E (CREE PWR)