ES1BLHRUG

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 100 В, ток до 1 А , производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
ES1AL - ES1JL Taiwan Semiconductor CREAT BY ART 1A, 50V - 600V Surface Mount Super Fast Rectifiers FEATURES - Glass passivated junction chip - Ideal for automated placement - Low profile package - Low power loss, high efficiency - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA Sub SMA Case: Sub SMA Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 Part No. with suffix "H" means AEC-Q101 qualified Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free) Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.019 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL Marking code ES ES ES ES ES ES ES ES 1AL 1BL 1CL 1DL 1FL 1GL 1HL 1JL EAL EBL ECL EDL EFL EGL EHL EJL UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 50 100 150 200 300 400 500 600 V Maximum RMS voltage VRMS 35 70 105 140 210 280 350 420 V Maximum DC blocking voltage VDC 50 100 150 200 300 400 500 600 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 1 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 30 A Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @1A Maximum reverse current @ rated VR TJ=25°C TJ=125°C VF 0.95 1.3 1.7 5 IR V μA 100 Typical junction capacitance (Note 2) CJ Maximum reverse recovery time (Note 3) trr 35 ns RθJL RθJA 35 85 °C/W TJ - 55 to +150 °C TSTG - 55 to +150 °C Typical thermal resistance Operating junction temperature range Storage temperature range 10 8 pF Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle Note 2: Measured at 1 MHz and Applied VR=4.0 Volts. Note 3: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Document Number: DS_D1410026 Version: K15 PDF
Документация на ES1ALHRVG 

ES1AL SERIES_K15.xls

Дата модификации: 19.05.2015

Размер: 358.6 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)