BAV19WRHG

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 250 В, ток до 200 мА , производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P- BAV19W (JSCJ)
 
SOD123 3000 шт — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM)
P- BAV16W (JSCJ)
 
SOD123 в ленте 60 шт — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P- BAV19W (TSC)
 
SOD123 — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon

Файлы 1

показать свернуть
BAV19W/BAV20W/BAV21W Taiwan Semiconductor Small Signal Product 410mW High Voltage SMD Switching Diode FEATURES - These diodes are also available in DO-35, LL34 Package - Surface Mount Device Type - Moisture sensitivity level 1 - Matte Tin (Sn) lead finish with Nickel (Ni) underplate - Pb free version and RoHS compliant - Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free) SOD-123F MECHANICAL DATA - Case: Flat lead SOD-123F small outline plastic package - Terminal: Matte tin plated, lead free, solderable per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed - High temperature soldering guaranteed: 260°C/10s - Polarity: Indicated by cathode band - Weight: 4.85 ± 0.5mg MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT PD 410 mW Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 250 V Repetitive Peak Forward Current IFRM 625 mA IO 200 mA Power Dissipation Mean Forward Current Non-Repetitive Peak Forward Surge Current Pulse Width = 1 μs Pulse Width = 1 s 4 IFSM Thermal Resistance (Junction to Ambient) RθJA 375 Junction and Storage Temperature Range TJ , TSTG -65 to +150 PARAMETER Reverse Breakdown Voltage (Note 1) Forward Voltage Reverse Leakage Current (Note 2) Junction Capacitance SYMBOL BAV19W BAV20W V(BR) BAV21W IF = 100 mA IF = 200 mA A 1 o C/W o MIN MAX 120 - 200 - 250 - C UNIT V - 1 - 1.25 IR - 100 nA CJ - 5 pF trr - 50 ns VF V BAV19W BAV20W BAV21W VR = 0 , f = 1.0 MHz Reverse Recovery Time (Note 3) Note 1 : Test condition : IR= 100μA Note 2 : Test condition : BAV19W @ VR=100V, BAV20W @ VR=150V, BAV21W @ VR=200V Note 3 : Test condition : IF= IR= 30mA , RL=100Ω , Irr=3mA Document Number: DS_S1501003 Version: E15 PDF
Документация на BAV19WRHG 

BAV19W SERIES_E15.xls

Дата модификации: 07.01.2015

Размер: 229.7 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)