BAS40-06RF

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный 2, общий анод на напряжение до 40 В, ток до 200 мА , производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
BAS40 / -04 / -05 / -06 Taiwan Semiconductor 200mA, Low VF SMD Schottky Barrier Diode FEATURES ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS Designed for mounting on small surface Low Capacitance Low forward voltage drop Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT IF(AV) 200 mA VRRM 40 V IFSM 0.6 A VF at IF=40mA 1 V TJ Max. 125 °C Package APPLICATIONS ● ● ● ● SOT-23 Adapters For switching power supply Low stored charge Inverter MECHANICAL DATA ● Case: SOT-23 ● Molding compound: UL flammability classification rating 94V-0 ● Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 ● Meet JESD 201 class 1A whisker test ● Weight: 8 mg (approximately) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER Marking code on the device SYMBOL VALUE BAS40 43 BAS40-04 44 BAS40-05 45 BAS40-06 46 Repetitive peak reverse voltage VRRM Forward current Non-repetitive peak forward surge current @ t = 8.3ms UNIT IF(AV) IFSM 40 200 0.6 V mA A Junction temperature range TJ -65 to +125 °C Storage temperature range TSTG -65 to +125 °C 1 Version: H2001 PDF
Документация на BAS40-04RFG 

Subject:

Дата модификации: 15.01.2020

Размер: 339.1 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)