5.0SMDJ33AHM6G

Taiwan Semiconductor
5.0SMDJ16A - 5.0SMDJ100A Taiwan Semiconductor 5000W, 16V - 100V Surface Mount Transient Voltage Suppressor FEATURES KEY PARAMETERS ● ● ● ● ● ● ● 5000 watts peak pulse power capability at 10/1000μs waveform Ideal for automated placement Photo glass passivated junction Excellent clamping capability Fast response time: Typically less than 1.0ps Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-02...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Рассеиваемая мощность
Пиковая рассеиваемая мощность
Рабочее напряжение
Напряжение ограничения (номинальное)
Напряжение ограничения (диапазон)
Максимальное импульсное напряжение
Тип супрессора по свойствам
Количество линий ограничения
  Примечание: Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 22

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Pрасс Pрасс(пик) Uраб Uогр(ном) Uогр(диапазон) Uимп(макс) Iраб Iимп(макс) Тип Линий Cперех Примечание Карточка
товара
P= BV-5SMDJ33A (BENCENT)
 
DO214AB — — —
P= 5.0SMDJ33A (TSC)
 
—
 
 — — — — — — — — — — Trans Voltage Suppressor Diode
A- SMDJ33AQ (YJ)
 
—
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode
A- SMCJ33AQ (YJ)
 
—
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode
A- SMBJ33AQ (YJ)
 
—
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode
A- SMAJ33AQ (YJ)
 
—
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode
A- SMCJ33A (YJ)
 

SMCJ33A/TR7 (YAG)
SMCJ33A (ONS-FAIR) 		DO214AB в ленте 3000 шт
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB
A- SMBJ33A (YJ)
 

SMBJ33A (ONS-FAIR) 		DO214AA в ленте 3000 шт
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode, 33V V(RWM), Unidirectional
A- SMF33AQ (YJ)
 
SOD123FL
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode
A- SMF33A (YJ)
 
SOD123FL 3000 шт
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode
A- SMF33A (JSCJ)
 
SOD123FL в коробках 10 шт
 
 — — —
A- SM8S33A (YJ)
 
DO218AB
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode
A- SJD12A33L01 (YAG)
 
— 15000 шт — — TVS ESD, SOD-123S, 33V, 53.3V, Reel
A- SM8S33AQ (YJ)
 
—
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode
A- SMCJ33A (DC)
 

SMCJ33A/TR7 (YAG)
SMCJ33A (ONS-FAIR) 		DO214AB в ленте 3000 шт
 
 — —
A- BV-SMDJ33A (BENCENT)
 
DO214AB — — —
A- SMDJ33A (JSCJ)
 
DO215AB
 
 — — —
A- BV-SMBJ33A (BENCENT)
 
DO214AA — — —
A- BV-SMAJ33A (BENCENT)
 
DO214AC — — —
A- SMAJ33A/TR7 (YAG)
 
DO214AC 10000 шт — SMAJ, DO-214AC, 33V, 53.3V, Reel 7"
A- SMAJ33A/TR13 (YAG)
 
— — SMAJ, DO-214AC, 33V, 53.3V, Reel 13"
A- SMAJ33A (YJ)
 

SMAJ33A (HY) 		DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC

Файлы 1

показать свернуть
5.0SMDJ16A - 5.0SMDJ100A Taiwan Semiconductor 5000W, 16V - 100V Surface Mount Transient Voltage Suppressor FEATURES KEY PARAMETERS ● ● ● ● ● ● ● 5000 watts peak pulse power capability at 10/1000μs waveform Ideal for automated placement Photo glass passivated junction Excellent clamping capability Fast response time: Typically less than 1.0ps Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 AEC-Q101 qualified available: ordering code with suffix “H” ● Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC ● Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT VWM VBR (uni-directional) PPPSM 16 - 100 V 17.8 - 123 V 5000 W TJ MAX 175 °C Package DO-214AB (SMC) Configuration Stacked die APPLICATIONS ● I/O interface ● AC/DC power supply ● Automotive MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● Case: DO-214AB (SMC) Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: As marked Weight: 0.30 g (approximately) DO-214AB (SMC) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER Non-repetitive peak impulse power dissipation with (1) 10/1000us waveform (2) Steady state power dissipation at TL=75°C SYMBOL VALUE UNIT PPK 5000 W PD 6.25 W VF 5 V TJ -55 to +175 °C TSTG -55 to +175 °C SYMBOL TYP UNIT Junction-to-lead thermal resistance per diode RӨJL 16 °C/W Junction-to-ambient thermal resistance per diode RӨJA 61 °C/W Junction-to-case thermal resistance per diode RӨJC 17 °C/W Forward Voltage @ IF=100A for Uni-directional only (3) Junction temperature Storage temperature Notes: 1. 2. 3. Non-repetitive current pulse per Fig. 3 and derated above TA=25°C Per Fig. 1 Units mounted on PCB (16mm x 16mm Cu pad test board) Pulse test with PW=0.3 ms THERMAL PERFORMANCE PARAMETER Thermal Performance Note: Units mounted on PCB (16mm x 16mm Cu pad test board) 1 Version: C1902 PDF
Документация на 5.0SMDJ16AHM6G 

Subject:

Дата модификации: 07.03.2019

Размер: 213 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1.5SMC510A (BOURNS)