1N5398GR0G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 800 В, ток до 1.5 А, с падением напряжения 1 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 800V V(RRM), Silicon, DO-204AC
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
1N5391G thru 1N5399G Taiwan Semiconductor CREAT BY ART Glass Passivated Rectifiers FEATURES - Glass passivated chip junction - High efficiency, Low VF - High current capability - High surge current capability - Low power loss - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA Case: DO-204AC (DO-15) DO-204AC (DO-15) Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free) Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test Weight: 0.4g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL 1N 1N 1N 1N 1N 1N 1N 5391G 5392G 5393G 5395G 5397G 5398G 5399G UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum RMS voltage VRMS 35 70 140 280 420 560 700 V Maximum DC blocking voltage VDC 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 1.5 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 50 A Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @ 1.5 A Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃ TJ=125 ℃ Typical junction capacitance (Note 2) Typical thermal resistance Operating junction temperature range Storage temperature range VF IR Cj 1.1 V 1.0 5 μA 100 15 pF O RθjA 65 TJ - 55 to +150 O C TSTG - 55 to +150 O C C/W Note 1: Pulse test with PW=300 μs, 1% duty cycle Note 2: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C. Document Number: DS_D1405013 Version: E14 PDF
Документация на 1N5391GR0G 

1N5391G SERIES_E14.xls

Дата модификации: 27.05.2014

Размер: 193.5 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)