SK05N120B-TF

SK05N120B 1200V, 5A N-Channel MOSFET DESCRIPTION BVDSS RDS(ON),typ. 4.9Ω 1200V ● Proprietary Trench Gate Device Design and Processes ID 5A ● High Reliability Capability ● RoHS Compliant Drain FEATURES ● BVDSS ≧ 1200V ● ID = 5A ● ● Gate G DS Source TO-220F R DS(ON) ≦ 4.9Ω@VGS=10V Package No to Scale Low Gate Charge Minimize Switching Loss Ordering Information Application Part ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220F
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ BL6N120-A (CN BELL)
 
в линейках 4 шт
 
N-Channel High Voltage Planar MOSFET, TO-220F, 1300 V, 6 A, 2,3 Ohm Fast Switching, 100% avalanche tested, Improved dv/dt capability, RoHS product, High frequency switching mode power supply
A+ SK09N150-T7 (SHIKUES)
 
TO-247-3 ±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.