SK05N120B-TF
SK05N120B
1200V, 5A N-Channel MOSFET
DESCRIPTION
BVDSS
RDS(ON),typ.
4.9Ω
1200V
● Proprietary Trench Gate Device
Design and Processes
ID
5A
● High Reliability Capability
● RoHS Compliant
Drain
FEATURES
●
BVDSS ≧ 1200V
●
ID = 5A
●
●
Gate
G
DS
Source
TO-220F
R DS(ON) ≦ 4.9Ω@VGS=10V
Package No to Scale
Low Gate Charge Minimize Switching Loss
Ordering Information
Application
Part ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO220F
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO220F | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Максимальное напряжение затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 2
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | BL6N120-A (CN BELL) | — | в линейках 4 шт | N-Channel High Voltage Planar MOSFET, TO-220F, 1300 V, 6 A, 2,3 Ohm | Fast Switching, 100% avalanche tested, Improved dv/dt capability, RoHS product, High frequency switching mode power supply | ||||||||||||
A+ | SK09N150-T7 (SHIKUES) | TO-247-3 |
| ± | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на SK05N120B-TF
TO-220F-3L-MOS-F7N65L-7A650V.CDR
Дата модификации: 11.08.2022
Размер: 1 Мб
3 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.