S9012

Shikues
沁 睹利 S9012 SHI KUES 1.BASE 2.EMITTER 3.COLLECTOR ｀ • FEATURES Power dissipation PCM, 0.3 W <Tamb=25它） Collector current ICM: -0.5 A 3 2 1 2-,4 Collector-base voltage V(BR)CBO : -40V Operating and storage丿unction temperature range TJ,Tstg: -55 它to+150-C Marking : 2T1 UNIT, mm Package:SOT-23 • ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamp=2s·c unless otherwise specified) Symbol Param...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= S9012 (YOUTAI)
 
— в ленте 30000 шт
 
 — — — —
P= S9012 (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
P= S9012 SOT-23 (JSCJ)
 
—
 
 — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
沁 睹利 S9012 SHI KUES 1.BASE 2.EMITTER 3.COLLECTOR ｀ • FEATURES Power dissipation PCM, 0.3 W <Tamb=25它） Collector current ICM: -0.5 A 3 2 1 2-,4 Collector-base voltage V(BR)CBO : -40V Operating and storage丿unction temperature range TJ,Tstg: -55 它to+150-C Marking : 2T1 UNIT, mm Package:SOT-23 • ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamp=2s·c unless otherwise specified) Symbol Paramete『 Test conditions MIN TYP MAX UNIT Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO lc=-100�A, 比=O -40 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO lc=-0.1mA, ls=O -25 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=-100µA, lc=O -5 Collector cut-off current ICBO ICEO Vce = -40V,IE=0 Vce=-20V ls=O Emitt�r cut-off current IEBO Ves=-SV, lc=O DC current gain hFE(1) hFE{2) Vce=-1V, lc=-50mA Vce=-1V lc=-500mA Collector-emitter saturation voltage VcEsat lc=-500mA,1B=·50mA Base-emitter saturation voltage VeEsat lc=-500mA, I a=-50mA Base-emitter voltage VBEF 比=-100mA 行 VcE=-6V,lc=-20mA f=30MHz Transition frequency • CLASSIFICATION OF REV.08 120-200 1 of 2 µA µA -0.1 µA 350 -0.6 V 1.2 V -1.4 V 令 150 MHz H Range 120 40 hFE(1) L Rank V -0.1 -0.1 200-350 PDF
Документация на S9012 

Subject:

Дата модификации: 27.11.2019

Размер: 456.9 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-40 (YJ)