MMBTA42

Shikues
MMBTA42 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBTA42 TRANSISTOR (NPN) FEATURES z High breakdown voltage z Low collector-emitter saturation voltage z Complementary to MMBTA92 (PNP) SOT-23 1ˊBASE 2ˊEMITTER 3ˊCOLLECTOR Marking: 1D MAXIMUM RATINGS (Ta=25Я unless otherwise noted) Symbol Parameter Value alue VCBO Collector-Base Voltage 300 V VCEO Collector-Emitter Voltage 300 V VE...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= MMBTA42 (JSCJ)
 

MMBTA42 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= MMBTA42 (YJ)
 

MMBTA42 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
P= MMBTA42Q (YJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
P= MMBTA42G-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P- LMBTA42LT1G (LRC)
 
— 1050 шт
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

Файлы 1

показать свернуть
MMBTA42 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBTA42 TRANSISTOR (NPN) FEATURES z High breakdown voltage z Low collector-emitter saturation voltage z Complementary to MMBTA92 (PNP) SOT-23 1ˊBASE 2ˊEMITTER 3ˊCOLLECTOR Marking: 1D MAXIMUM RATINGS (Ta=25Я unless otherwise noted) Symbol Parameter Value alue VCBO Collector-Base Voltage 300 V VCEO Collector-Emitter Voltage 300 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.3 A  A IC0 Collector Current-Peak PC Collector Power dissipation 0.35 W RԦJA Thermal Resistance, junction to Ambient 357 Я/W TJ Junction Temperature 150 Я Tstg Storage Temperature -55a+150 Я ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25Я unless otherwise specified) Symbol Parameter Test conditions tions MLQ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC= 100ȝA,IE=0 300 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC= 1mA, IB=0 300 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE= 100ȝA, IC=0 5 V Collector cut-off current ICBO VCB=200V, IE=0 0.25 ȝA Emitter cut-off current IEBO VEB= 5V, IC=0 0.1 ȝA hFE(1) VCE= 10V, IC= 1mA 60 hFE(2) 9CE= 10V, IC=10mA  hFE(3) VCE=10V, IC=30mA 60 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=20mA, IB= 2mA 0.2 0.2 Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC= 20mA, IB=2mA 0. 0.9 DC current gain fT Transition frequency REV.08 1 of 3 VCE= 20V, IC= 10mA, f=30MHz 50 200 MHz PDF
Документация на MMBTA42 

Author: caizhongyu

Дата модификации: 27.05.2021

Размер: 400.7 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)