DS16W

Shikues
Диод выпрямительный на напряжение до 60 В, ток до 1 А, с падением напряжения 700 мВ, производства Shikues (SHIKUES)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD123FL
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= LMBR160FT1G (LRC)
 
SOD123FL 100 шт
 
 — — — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 60V V(RRM), Silicon

Файлы 1

показать свернуть
DS12W THRU DS120W Surface Mount Schottky Barrier Rectifier Reverse Voltage - 20 to 200 V Forward Current - 1.0 A FEATURES 1 • For surface mounted applications • Low power loss, high efficiency • High forward surge current capability 2 • For use in low voltage, high frequency inverters, Top View free wheeling, and polarity protection applications Simplified outline SOD-123FL and symbol • Metal silicon junction, majority carrier conduction PINNING MECHANICAL DATA PIN DESCRIPTION • Case: SOD-123FL 1 Cathode 750, Method 2026 • Terminals: Solderable per MIL-STD-750, 2 Anode • Approx. Weight:15mg 0.00048oz Absolute Maximum Ratings and Electrical characteristics Ratings at 25 ℃ ambient temperature unless otherwise specified.Single phase, half wave, 60Hz resistive or inductive load,for capacitive load, derate by 20 % Symbols Parameter DS12W DS14W DS16W DS18W DS110W DS112W DS115W DS120W Units Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM 20 40 60 80 100 120 150 200 V Maximum RMS voltage V RMS 14 28 42 56 70 84 105 140 V Maximum DC Blocking Voltage V DC 20 40 60 80 100 120 150 200 V Maximum Average Forward Rectified Current I F(AV) Peak Forward Surge Current,8.3ms Single Half Sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC method) I FSM Max Instantaneous Forward Voltage at 1 A Maximum DC Reverse Current T a = 25°C at Rated DC Reverse Voltage T a =100°C Typical Junction Capacitance Typical Thermal Resistance （1） VF 0.55 Storage Temperature Range A 30 0.70 0.3 10 IR Cj A 40 110 0.85 0.90 V 0.2 5 0.1 2 mA 80 （2） Operating Junction Temperature Range pF RθJA 115 °C/W Tj -55 ~ +125 °C T stg -55 ~ +150 °C （1）Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4 V D.C REV.08 1.0 （2）P.C.B. mounted with 2.0" X 2.0" (5 X 5 cm) copper pad areas. 1 of 3 PDF
Документация на DS110W 

Subject:

Дата модификации: 23.09.2024

Размер: 457 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)