BZT52C2V4

Shikues
BZT52C2V0 THRU BZT52C75 Silicon Planar Zener Diodes PINNING Features • Total power dissipation: max. 500 mW • Small plastic package suitable for surface mounted design • Tolerance approximately ± 5% PIN DESCRIPTION 1 Cathode 2 Anode 2 1 Top View Simplified outline SOD-123 and symbol Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Symbol Value Unit Power Dissipation Ptot 500 mW ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD123
Напряжение стабилизации
Ток стабилизации (макс)
Импеданс (макс)
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 2

показать свернуть
BZT52C2V0 THRU BZT52C75 Silicon Planar Zener Diodes PINNING Features • Total power dissipation: max. 500 mW • Small plastic package suitable for surface mounted design • Tolerance approximately ± 5% PIN DESCRIPTION 1 Cathode 2 Anode 2 1 Top View Simplified outline SOD-123 and symbol Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Symbol Value Unit Power Dissipation Ptot 500 mW Junction Temperature TJ 150 O TStg - 55 to + 150 O Symbol Max. RthA 340 VF 0.9 Storage Temperature Range C C Characteristics at Ta = 25 OC Parameter Thermal Resistance Junction to Ambient Air Forward Voltage at IF = 10 mA 1 of 4 Unit C/W O V PDF
Документация на BZT52C2V4 

Microsoft Word - MM1Z2V0~MM1Z75 Keywords:

Дата модификации: 27.05.2011

Размер: 1.86 Мб

4 стр.

BZT52C2V0 THRU BZT52C75 Silicon Planar Zener Diodes PINNING FEATURES PIN • Total power dissipation: Max. 500mW. • Wide zener reverse voltage range 2.0V to 75V. • Small plastic package suitable for surface mounted design. • Tolerance approximately±5% DESCRIPTION 1 Cathode 2 Anode 2 MECHANICAL DATA ▪Case: SOD-123 ▪Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026 1 Simplified outline SOD-123 and symbol Absolute Maximum Ratings And Characteristics （Ta = 25 °C） Symbol Value Unit Power Dissipation P tot 500 mW Forward Voltage at I F = 10 mA VF 0.9 V RθJA 340 °C/W T j , T stg -55 ~ +150 °C Parameter Typical thermal resistance juncting to ambient (1) Operating and Storage Temperature Range (1) Thermal resistance from junction to ambient at P.C.B. mounted with 2 .0" X 2.0" (5 X 5 cm) copper areas pads. Transient Thermal Impedance（ °C /W） Fig.1 Maximum Continuous Power Derating 0.6 Power Dissipation ( W ) 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0.0 25 50 75 100 125 150 175 T c ,Case Temperature (°C) REV.08 Fig.2 Typical Transient Thermal Impedance 2000 1000 100 10 0.01 0.1 1 10 t, Pulse Duration（sec） 1 of 3 100 PDF
Документация на BZT52C10 

SOD123-W-MM1Z2V0~MM1Z75-500mW.cdr

Дата модификации: 01.01.1970

Размер: 423.5 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BZT52C10S (YJ)