BZT52B5V1

Shikues
BZT52B2V0 THRU BZT52B75 Silicon Planar Zener Diodes FEATURES • Total power dissipation: Max. 500mW. • Wide zener reverse voltage range 2.0V to 75V. • Small plastic package suitable for surface mounted design. • Tolerance approximately±2% 2 1 MECHANICAL DATA ▪Case: SOD-123 ▪Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026 ▪ Approx. Weight:16mg/0.00056oz 1: Cathode 2: Anode Simplified outli...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD123
Напряжение стабилизации
Ток стабилизации (макс)
Импеданс (макс)
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i U стаб I стаб Z T раб Примечания Карточка
товара
P= BZT52B5V1 (JSCJ)
 
SOD123 в ленте 3000 шт — — —
P= BZT52B5V1 (YJ)
 
SOD123 в ленте 3000 шт
 
 — Zener Diode, 5.1V V(Z), 1.96%, 0.5W, Silicon, Unidirectional
P= BZT52C5V1 (JSCJ)
 
SOD123 3000 шт Zener Diode, 5.1V V(Z), 5.8%, 0.5W
P= LBZT52B5V1T1G (LRC)
 
SOD123
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
BZT52B2V0 THRU BZT52B75 Silicon Planar Zener Diodes FEATURES • Total power dissipation: Max. 500mW. • Wide zener reverse voltage range 2.0V to 75V. • Small plastic package suitable for surface mounted design. • Tolerance approximately±2% 2 1 MECHANICAL DATA ▪Case: SOD-123 ▪Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026 ▪ Approx. Weight:16mg/0.00056oz 1: Cathode 2: Anode Simplified outline SOD-123 and symbol Absolute Maximum Ratings And Characteristics （Ta = 25 °C） Symbol Value Unit Power Dissipation P tot 500 mW Forward Voltage at I F = 10 mA VF 0.9 V RθJA 340 °C/W T j , T stg -55 ~ +150 °C Parameter Typical thermal resistance juncting to ambient (1) Operating and Storage Temperature Range (1) Thermal resistance from junction to ambient at P.C.B. mounted with 2 .0" X 2.0" (5 X 5 cm) copper areas pads. Transient Thermal Impedance（ °C /W） Fig.1 Maximum Continuous Power Derating 0.6 Power Dissipation ( W ) 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0.0 25 50 75 100 125 150 175 T c ,Case Temperature (°C) REV.08.1 Fig.2 Typical Transient Thermal Impedance 2000 1000 100 10 0.01 0.1 1 10 t, Pulse Duration（sec） 1 of 3 100 PDF
Документация на BZT52B10 

SOD123-W-MM1Z2V0B~MM1Z75B-500mW.cdr

Дата модификации: 03.04.2024

Размер: 515.9 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BZT52C5V1 (YJ)