BC846S

Shikues
BC846S SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors DUAL TRANSISTOR (NPN+NPN) SOT-363 FEATURES z Two transistors in one package z Reduces number of components and board space z No mutual interference between the transistors MARKING: 1B MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 65 V VEBO E...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-6 SOT363
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= BC846BS (YJ)
 
SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= BC846BPN (YJ)
 
SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= LBC846BDW1T1G (LRC)
 
SOT-323-6 SOT363
 
 — — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN
P= BC846S (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
BC846S SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors DUAL TRANSISTOR (NPN+NPN) SOT-363 FEATURES z Two transistors in one package z Reduces number of components and board space z No mutual interference between the transistors MARKING: 1B MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 65 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current –Continuous 0.1 A PC Collector Dissipation 200 mW TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55-150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=10µA,IE=0 80 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=10mA,IB=0 65 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=10µA,IC=0 6 V ICBO VCB=30V,IE=0 15 nA = IC=0, VEB 5V I EBO 5 µA Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Transition frequency Collector output capacitance REV.08 hFE VCE=5V,IC=2mA VCE(sat)(1) IC=10mA,IB=0.5mA VCE(sat)(2) IC=100mA,IB=5mA VBE(sat) IC=10mA,IB=0.5mA fT Cob VCB=5V,IE=10mA,f=100MHz VCB=10V,IE=0,f=1MHz 1 of 3 110 600 0.1 0.3 0.77 V V V 100 MHz 1.5 pF PDF
Документация на BC846S 

TO-220F-3L-MOS-F7N65L-7A650V.CDR

Дата модификации: 05.01.2023

Размер: 2.32 Мб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2SC4081-R (YJ)