EE-SJ5-B

Omron
Датчик положения оптический - Режим: просвет; Выход: фототранзистор; Расстояние: 5 мм; Монтаж: на плату, выводной; Ток излучателя: 50 мА; U out: 30 В
развернуть ▼ свернуть ▲
Фотография EE-SJ5-B

Технические характеристики

показать свернуть
Режим работы
Тип выхода
Рабочее расстояние
Способ монтажа
Ток излучателя (ном)
Коммутируемое напряжение (макс)
Коммутируемый ток (макс)
Примечания SENSOR OPTO SLOT 5MM TRANS THRU
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Photomicrosensor (Transmissive) EE-SJ5-B ■ Dimensions ■ Features Note: All units are in millimeters unless otherwise indicated. • • • • 15.4 ■ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) 2.1 × 0.5 Aperture holes (see note) 5±0.2 General-purpose model with a 5-mm-wide slot. PCB mounting type. High resolution with a 0.5-mm-wide aperture. RoHS Compliant. Item Emitter Optical axis 1 A (see note 2) Reverse voltage VR 4V Collector–Emitter voltage VCEO 30 V Emitter–Collector voltage VECO --- Collector current IC 20 mA Collector dissipation PC 100 mW (see note 1) Ambient Operating temperature Storage Topr –25°C to 85°C Tstg –30°C to 100°C Soldering temperature Tsol 260°C (see note 3) Detector Four, 0.25 Four, 0.5 2.54±0.2 Cross section AA Note: There is no difference in size between the slot on the emitter and that on the detector. Internal Circuit K C Unless otherwise specified, the tolerances are as shown below. A Terminal No. Dimensions E Name A K C Anode Cathode Collector E Emitter Note: 1. Refer to the temperature rating chart if the ambient temperature exceeds 25°C. 2. The pulse width is 10 μs maximum with a frequency of 100 Hz. 3. Complete soldering within 10 seconds. Tolerance 3 mm max. ±0.3 3 < mm ≤ 6 ±0.375 6 < mm ≤ 10 ±0.45 10 < mm ≤ 18 ±0.55 18 < mm ≤ 30 ±0.65 Rated value 50 mA (see note 1) IF Pulse forward current IFP 7.2±0.2 9.2±0.3 Symbol Forward current ■ Ordering Information Description Model Photomicrosensor (transmissive) EE-SJ5-B ■ Electrical and Optical Characteristics (Ta = 25°C) Item Emitter Detector Symbol Value Condition Forward voltage VF 1.2 V typ., 1.5 V max. IF = 30 mA Reverse current IR 0.01 μA typ., 10 μA max. VR = 4 V Peak emission wavelength λP 940 nm typ. IF = 20 mA Light current IL 0.5 mA min., 14 mA max. IF = 20 mA, VCE = 10 V Dark current ID 2 nA typ., 200 nA max. VCE = 10 V, 0 lx Leakage current ILEAK --- --- Collector–Emitter saturated voltage VCE (sat) 0.1 V typ., 0.4 V max. IF = 20 mA, IL = 0.1 mA Peak spectral sensitivity wavelength λP 850 nm typ. VCE = 10 V Rising time tr 4 μs typ. VCC = 5 V, RL = 100 Ω, IL = 5 mA Falling time tf 4 μs typ. VCC = 5 V, RL = 100 Ω, IL = 5 mA Photomicrosensor (Transmissive) EE-SJ5-B 173 PDF
Документация EE-SJ5-B 

EE_SJ5_B_1010.fm

Дата модификации: 12.10.2010

Размер: 264.2 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    KTIR0721DS (KGB)