NCEP18N10AK

NCEP18N10AK http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description General Features The NCEP18N10AK uses Super Trench II technology that is ● VDS =100V,ID =42A uniquely optimized to provide the most efficient high frequency RDS(ON)=15.5mΩ (typical) @ VGS=10V switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=19.5mΩ (typical) @ VGS=4.5V losses ar...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJB70G10B (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ NCEP11N10AK (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
A+ YJF50G10H (YJ)
 
ITO220AB в линейках 50 шт
A+ YJQ40G10A (YJ)
 
DFN83X3 в ленте 5000 шт
 
A+ YJP70G10A (YJ)
 
TO-220-3 1000 шт
 
A+ YJG60G10B (YJ)
 
 
A+ YJG40G10AQ (YJ)
 
PDFN5060-8L
 
A+ YJG40G10A (YJ)
 
10 шт
 
A+ YJD65G10A (YJ)
 
TO252 2500 шт
A+ YJD45G10AQ (YJ)
 
A+ YJB70G10A (YJ)
 
TO263 800 шт
 
A+ CS55N10A4 (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 5000 шт
A+ YJD45G10A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ JMSL1010AK-13 (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ NCEP080N10 (NCE)
 
TO-220-3 13 шт
 
±
A+ JMSH1010AK-13 (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ IRLR3110ZTR (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMK099N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMB080N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB080N10HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ119N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMO175N10HG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO099N10HGS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ YJP70G10B (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMP119N10LG2 (WAYON)
 
TO251
 

Файлы 1

показать свернуть
NCEP18N10AK http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description General Features The NCEP18N10AK uses Super Trench II technology that is ● VDS =100V,ID =42A uniquely optimized to provide the most efficient high frequency RDS(ON)=15.5mΩ (typical) @ VGS=10V switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=19.5mΩ (typical) @ VGS=4.5V losses are minimized due to an extremely low combination of ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching ● Very low on-resistance RDS(on) and synchronous rectification. ● 150 °C operating temperature Application ● Pb-free lead plating ● DC/DC Converter 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! ● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification TO-252 Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP18N10AK NCEP18N10AK TO-252-2L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 42 A ID (100℃) 30 A Pulsed Drain Current (Note 1) IDM 168 A Maximum Power Dissipation PD 72 W 0.48 W/℃ EAS 115 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ RθJC 2.08 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V2.0 PDF
Документация на NCEP18N10AK 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 19.05.2022

Размер: 735.2 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.