NCEP090N10GU

NCEP090N10GU NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous re...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMM060N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ YJG90G10A (YJ)
 
PDFN568 5000 шт
 
A+ WMO099N10HGS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ CJAC110SN10A (JSCJ)
 
в ленте 32 шт
 
±
A+ WMK060N10LGS (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMB129N10T2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMB128N10T2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMB099N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 3000 шт
 
A+ WMB072N12HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMB060N10LGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMB043N10LGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ YJP70G10A (YJ)
 
TO-220-3 1000 шт
 
A+ WMO080N10HG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 800 шт
 
A+ YJD65G10A (YJ)
 
TO252 2500 шт
A+ YJG60G10B (YJ)
 
 
A+ YJB70G10A (YJ)
 
TO263 800 шт
 
A+ NCEP080N10 (NCE)
 
TO-220-3 13 шт
 
±
A+ NCEP065N10 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
±
A+ WMK099N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMK072N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ WMK060N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMB080N10HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB060N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB043N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 1000 шт
 
A+ CJAC110SN10H (JSCJ)
 
 
±

Файлы 1

показать свернуть
NCEP090N10GU NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. Application ● DC/DC Converter ●Ideal for high-frequency switching and General Features ● VDS =100V,ID =65A RDS(ON)=7.0mΩ , typical@ VGS=10V ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 150 °C operating temperature ● Pb-free lead plating 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! synchronous rectification DFN 5X6 Top View Schematic Diagram Bottom View Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity P090N10GU NCEP090N10GU DFN5X6-8L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit VDS 100 V VGS ±20 V ID 65 A ID (100℃) 47 A Pulsed Drain Current IDM 260 A Maximum Power Dissipation PD 85 W 0.68 W/℃ EAS 288 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJC 1.47 ℃/W Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Drain Current-Continuous (Note 1) Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 4) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 http://www.ncepower.com V2.0 PDF
Документация на NCEP090N10GU 

Microsoft Word - NCEP090N10GU data sheet.doc

Дата модификации: 04.11.2020

Размер: 334.1 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.