NCE85H21C

NCE85H21C http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE85H21C uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in automotive applications and a wide variety of other applications. General Features ● VDSS =85V,ID =210A Schematic diagram RDS(ON) < 4.95mΩ @ VGS=10V ● Good stability and uni...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMLL029NV8HGS (WAYON)
 
в ленте 3000 шт
A+ NCEP85T25T (NCE)
 
TO-247-3 ±
A+ JMSH1003NC-U (JIEJIE)
 
TO2203L 50 шт
 
A+ NCEP023N10D (NCE)
 
TO263 6 шт
 
±
A+ NCEP023N10 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
±
A+ NCEP020N10LL (NCE)
 
в ленте 10 шт
 
±
A+ NCEP01T30T (NCE)
 
TO-247-3 ±
A+ NCEP01T18VD (NCE)
 
 
±
A+ NCEP018N85LL (NCE)
 
 
±
A+ NCEP016N85LL (NCE)
 
30 шт
 
±
A+ NCEP85T25VD (NCE)
 
 
±
A+ WMM028N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ NCEP85T25 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ NCEP85T25D (NCE)
 
TO263
 
±
A+ NCEP028N85D (NCE)
 
TO263 8 шт
 
±
A+ JMSH1004AE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
A+ JMSH1003NE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
A+ JMSH1002AS-U (JIEJIE)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
A+ WMM028N10HG2 (WAYON)
 
TO263 5 шт
 
A+ WMK028N10HGD (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMK028N10HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ YJN280G10H (YJ)
 
TO-247-3
A+ NCE85H25T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 600 шт
 
A+ NCEP023N10LL (NCE)
 
 
±

Файлы 1

показать свернуть
NCE85H21C http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE85H21C uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in automotive applications and a wide variety of other applications. General Features ● VDSS =85V,ID =210A Schematic diagram RDS(ON) < 4.95mΩ @ VGS=10V ● Good stability and uniformity with high EAS ● Special process technology for high ESD capability ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Excellent package for good heat dissipation Marking and pin assignment Application ● Automotive applications ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! TO-220-3L top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE85H21C NCE85H21C TO-220 - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDSS 85 V Gate-Source Voltage VGS ±20 (Note5) V ID 210 A ID (100℃) 148 A Pulsed Drain Current IDM 850 A Maximum Power Dissipation PD 300 W 2.0 W/℃ EAS 1800 mJ dv/dt 5 V/ns TJ,TSTG -55 To 175 ℃ Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3) (Note 4) Operating Junction and Storage Temperature Range Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V3.0 PDF
Документация на NCE85H21C 

Microsoft Word - NCE85H21C data sheet.doc

Дата модификации: 01.07.2020

Размер: 322.6 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.