NCE80TD65BT4

NCE
Pb Free Product NCE80TD65BT4 650V, 80A, Trench FS II Fast IGBT General Description Using NCE's proprietary trench design and advanced FS (Field Stop) second generation technology, the 650V Trench FSII IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation; Features  Trench FSII Technology offering  Very low VCE(sat)  High speed switching  Positive temperat...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2474
Напряжение К-Э максимальное
Ток коллектора максимальный при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Максимальная мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i UКЭ макс IК UКЭ нас t вкл t выкл Диод tвосст Мощность Заряд затвора Вход Тип Примечание Карточка
товара
A- DG120X07T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в ленте 30 шт
 
 — —
A- DG15X06T1 (STARPWR)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт —
A- DG15X12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт —
A- DG20X06T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
 — —
A- DG25X12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
 —
A- DG40F12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
 —
A- DG40Q12T2LZ (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
 — — —
A- DG40X12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 300 шт
 
 —
A- DG50Q12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 90 шт
 
 — — —
A- DG50X06T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
 —
A- DG75X12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 1 шт
 
 —
A- DG10X06T1 (STARPWR)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 —
A- DGP10N60CTL (YJ)
 
— в линейках 50 шт
 
 — — — — — — —
A- DGW15N120CTL (YJ)
 
TO-247-3 — — — — — — —
A- DGW25N120CTL (YJ)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт — — — — — — —
A- DGW40N120CTL (YJ)
 
— в линейках 20 шт — — — — — — —
A- DGW50N65BTH (YJ)
 
— 50 шт — — — — — — —
A- DGW50N65CTL1 (YJ)
 
TO-247-3 — — — — — — —
A- DGW60N65BTH (YJ)
 
— — — — — — — —
A- DGW75N65CTL1 (YJ)
 
— 12 шт — — — — — — —
A- DG100X07T2 (STARPWR)
 
TO-247-3
 
 —

Файлы 1

показать свернуть
Pb Free Product NCE80TD65BT4 650V, 80A, Trench FS II Fast IGBT General Description Using NCE's proprietary trench design and advanced FS (Field Stop) second generation technology, the 650V Trench FSII IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation; Features  Trench FSII Technology offering  Very low VCE(sat)  High speed switching  Positive temperature coefficient in VCE(sat)  Very tight parameter distribution  High ruggedness, temperature stable behavior Application Schematic diagram  Air Condition  Inverters  Motor drives Package Marking and Ordering Information Device Device Package Device Marking NCE80TD65BT4 TO-247-4L NCE80TD65BT4 Absolute Maximum Ratings (TC=25°C unless otherwise noted) Symbol Parameter TO-247-4L Value Units VCES Collector-Emitter Voltage 650 V VGES Gate- Emitter Voltage ±30 V Collector Current 160 A Collector Current @TC = 100 °C 80 A Pulsed Collector Current，tp limited by Tjmax 320 A - Turn off safe operating area，VCE=650V，Tj=175°C 320 A IF Diode Continuous Forward Current @TC = 100 °C 80 A IFM Diode Maximum Forward Current 320 A Power Dissipation @ TC = 25°C 468 W Power Dissipation @TC = 100 °C 234 W -55 to +175 °C 260 °C 5 us IC ICpuls PD TJ,Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range TL Maximum Temperature for Soldering tsc Short circuit withstand time VGE=15V, VCC≤400V, Allowed number of short circuits<1000Time between short circuits:≥1.0s,Tj≤150°C Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 http://www.ncepower.com V2.1 PDF
Документация на NCE80TD65BT4 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 24.04.2023

Размер: 1.47 Мб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    DG10X06T1 (STARPWR)