NCE60TD65BT

Pb Free Product NCE60TD65BT 650V, 60A, Trench FS II Fast IGBT General Description Using NCE's proprietary trench design and advanced FS (Field Stop) second generation technology, the 650V Trench FSII IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation; Features  Trench FSII Technology offering  Very low VCE(sat)  High speed switching  Positive temperatu...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Напряжение К-Э максимальное
Ток коллектора максимальный при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Максимальная мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 22

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i UКЭ макс IК UКЭ нас t вкл t выкл Диод tвосст Мощность Заряд затвора Вход Тип Примечание Карточка
товара
A- DG120X07T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в ленте 30 шт
 
A- DG15X06T1 (STARPWR)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
A- DG15X12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
A- DG20X06T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A- DG25X12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A- DG40F12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A- DG40Q12T2LZ (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A- DG40X12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 300 шт
 
A- DG50Q12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 90 шт
 
A- DG50X06T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A- DG75X07T2L (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A- DG75X12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 1 шт
 
A- DG10X06T1 (STARPWR)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A- DGP10N60CTL (YJ)
 
в линейках 50 шт
 
A- DGW15N120CTL (YJ)
 
TO-247-3
A- DGW25N120CTL (YJ)
 
TO-247-3
A- DGW30N65BTH (YJ)
 
TO-247-3 в ленте 50 шт
A- DGW40N120CTL (YJ)
 
20 шт
A- DGW50N65BTH (YJ)
 
50 шт
A- DGW50N65CTL1 (YJ)
 
TO-247-3
A- DGW60N65BTH (YJ)
 
A- DGW75N65CTL1 (YJ)
 
12 шт

Файлы 1

показать свернуть
Pb Free Product NCE60TD65BT 650V, 60A, Trench FS II Fast IGBT General Description Using NCE's proprietary trench design and advanced FS (Field Stop) second generation technology, the 650V Trench FSII IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation; Features  Trench FSII Technology offering  Very low VCE(sat)  High speed switching  Positive temperature coefficient in VCE(sat)  Very tight parameter distribution  High ruggedness, temperature stable behavior Schematic diagram Application  Air Condition  Inverters  Motor drives Package Marking and Ordering Information Device Device Package Device Marking NCE60TD65BT TO-247 NCE60TD65BT TO-247 Absolute Maximum Ratings (TC=25°C unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage 650 V VGES Gate- Emitter Voltage ±30 V Collector Current 120 A Collector Current @TC = 100 °C 60 A Pulsed Collector Current,tp limited by Tjmax 240 A - turn off safe operating area,VCE=650V, Tj=175°C 240 A IF Diode Continuous Forward Current @TC = 100 °C 60 A IFM Diode Maximum Forward Current 240 A Power Dissipation @ TC = 25°C 319 W Power Dissipation @TC = 100 °C 159 W -55 to +175 °C 260 °C 5 us IC ICpuls PD TJ,Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range TL Maximum Temperature for Soldering tsc Short circuit withstand time VGE=15V, VCC≤400V, Allowed number of short circuits<1000Time between short circuits:≥1.0s,Tj≤150°C Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 http://www.ncepower.com V4.2 PDF
Документация на NCE60TD65BT 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 21.04.2023

Размер: 1.65 Мб

12 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    05 июня 2024
    новость

    Решения для зарядных станций (материалы вебинара)

    Популярность электротранспорта неуклонно растет. Следуя этому тренду, многие компании активно разрабатывают свои решения в этой области индустрии, в том числе для зарядных станций. По оценкам участников отрасли, к 2030 году в России в эксплуатацию... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.