NCE4801

Pb Free Product NCE4801 http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE4801 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Schematic diagram General Features ● VDS = -30V,ID = -5A RDS(ON) < 80mΩ @ ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CR4437 (CRMICRO)
 
SOP-8 в коробках 3000 шт
 
P- JMTP4953B (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт

Файлы 1

показать свернуть
Pb Free Product NCE4801 http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE4801 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Schematic diagram General Features ● VDS = -30V,ID = -5A RDS(ON) < 80mΩ @ VGS=-2.5V RDS(ON) < 57mΩ @ VGS=-4.5V RDS(ON) < 48mΩ @ VGS=-10V ● High power and current handing capability ● Lead free product is acquired Marking and Pin Assignment ● Surface mount package Application ● PWM applications ● Load switch SOP-8 top view ● Power management Package Marking And Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE4801 NCE4801 SOP-8 Ø330mm 12mm 4000 units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Drain-Source Voltage VDS Gate-Source Voltage VGS Drain Current-Continuous ID (Note 1) Drain Current-Pulsed IDM Maximum Power Dissipation PD Operating Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG Limit Unit -30 V ±12 V -5 A -28 A 2 W -55 To 150 ℃ 62.5 ℃/W Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2) RθJA Electrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit - V -1 μA Off Characteristics Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V ID=-250μA -30 Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=-30V,VGS=0V - Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 - v1.1 PDF
Документация на NCE4801 

Microsoft Word - NCE3401 data sheet.doc

Дата модификации: 15.11.2023

Размер: 325.5 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.