NCE3015S

NCE
NCE3015S http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3015S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =30V,ID =15A Schematic diagram RDS(ON) <7.0mΩ @ VGS=10V RDS(ON) < 9.5mΩ @ VGS=5V ● High density cell design for ultra...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CRTE045N03L (CRMICRO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P= WMS032N04LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P= YJS18N03A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 8000 шт
 
 — —
P= WMS15N03T1 (WAYON)
 
SOP8L в коробках 4000 шт
 
 — — —
P= CJQ20N03 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 ± — — — — —
A+ AO4410 (YOUTAI)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ NCE3018AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCE3015S http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3015S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =30V,ID =15A Schematic diagram RDS(ON) <7.0mΩ @ VGS=10V RDS(ON) < 9.5mΩ @ VGS=5V ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Good stability and uniformity with high EAS ● Excellent package for good heat dissipation Application ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply Marking and pin assignment 100% UIS TESTED! SOP-8 top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE3015S NCE3015S SOP-8 - - - Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Drain-Source Voltage VDS Gate-Source Voltage VGS Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Pulsed Drain Current (Note 1) Maximum Power Dissipation Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Limit Unit 30 V ±20 V ID 15 A ID (100℃) 10.6 A IDM 60 A PD 3.5 W EAS 120 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJC 36 ℃/W Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2) Electrical Characteristics (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Off Characteristics Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V ID=250μA 30 - - V Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=30V,VGS=0V - - 1 μA Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V2.0 PDF
Документация на NCE3015S 

Microsoft Word - NCE3015S data sheet.doc

Дата модификации: 12.11.2020

Размер: 296.2 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)