NCE0125AI
NCE0125AI
http://www.ncepower.com
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE0125AI uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It
can be used in a wide variety of applications.
General Features
Schematic diagram
● VDS = 100V,ID =25A
RDS(ON) < 36mΩ @ VGS=10V
(Typ:31 mΩ)
● Special process technology for high ESD capab...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO251
- Норма упаковки: 55 шт.
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO251 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 24
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | YJD45G10A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | YJG40G10A (YJ) | — | 10 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | WML099N10HGS (WAYON) | TO220F | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | CJU50SN10 (JSCJ) | TO2522L | 5 шт |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | CJU30N10 (JSCJ) | TO2522L |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | WMO175N10LG2 (WAYON) | TO252 |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | WML125N12LG2 (WAYON) | TO220F |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | WML080N10HG2 (WAYON) | TO220F |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | WMQ099N10LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | WMB175N10LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | WMB119N10LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | YJQ40G10A (YJ) | DFN83X3 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJF50G10H (YJ) | ITO220AB | в линейках 50 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | NCE0130GA (NCE) | DFN-8 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | YJD45G10AQ (YJ) | — |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | JMTC320N10A (JIEJIE) | TO2203L | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | IRFR4510TR (YOUTAI) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | IRF540N (YOUTAI) IRF540N (IR) | TO220AB | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | WMK175N10LG2 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMK175N10HG2 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMB175N10HG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMQ175N10LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMQ119N10LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMO175N10HG2 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE0125AI
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:
Дата модификации: 16.12.2022
Размер: 593.4 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.