LBTP3100Z4TZHG
LBTP3100Z4TZHG
S-LBTP3100Z4TZHG
PNP Silicon AF Power Transistors
1. FEATURES
For AF driver and output stages
High collector current
● High current gain
● Low collector-emitter saturation voltage
● We declare that the material of product compliance with
●
●
SOT223
RoHS requirements and Halogen Free.
● S-prefix for automotive and other applications requiring
unique site and control change requi...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Биполярный транзистор
- Корпус: SOT-223
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-223 | |
---|---|---|
Тип проводимости и конфигурация | ||
Напряжение КЭ максимальное | ||
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии | ||
Ток коллектора | ||
Граничная рабочая частота | ||
Коэффициент усиления по току |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.