LBTN5100Z4TZHG
LBTN5100Z4TZHG
S-LBTN5100Z4TZHG
100 V NPN transistor
1. FEATURES
●
Low collector-emitter saturation voltage
●
High collector current capability
●
High collector current gain.
●
High efficiency due to less heat generation.
●
Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area.
●
We declare that the material of product compliance with
SOT223
COLLECTOR
RoHS requirements and Halogen Fre...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Биполярный транзистор
- Корпус: SOT-223
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | SOT-223 | |
|---|---|---|
| Тип проводимости и конфигурация |  | |
| Напряжение КЭ максимальное |  | |
| Напряжение падения КЭ в открытом состоянии |  | |
| Ток коллектора |  | |
| Граничная рабочая частота |  | |
| Коэффициент усиления по току |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Пара | Pрасс | UКЭ(макс) | UКЭ(пад) | IК(макс) | F гран | h 21 | R1 | R2 | Примечание | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | UP1753G-AA3-R (UTC) | — | 1 шт |
|  | — |  |  |  |  | — |  | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.