LBC857CDW1T1G
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Dual General Purpose
Transistors
LBC85** DW1T1G
6
These transistors are designed for general purpose amplifier
applications. They are housed in the SOT–363/SC–88 which is
designed for low power surface mount applications.
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
5
4
1
2
3
• Device Marking:
SOT-363
LBC856ADW1T1G= 3A
LBC856BDW1...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Биполярный транзистор
- Серия: LBC857
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | — | |
---|---|---|
Рассеиваемая мощность | ||
Напряжение КЭ максимальное | ||
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии | ||
Ток коллектора | ||
Граничная рабочая частота | ||
Коэффициент усиления по току | ||
Примечание | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), PNP |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.