LBC817-25LT1G

LRC
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon LBC817-16LT1G LBC817-25LT1G LBC817-40LT1G • We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Collector–Emitter Voltage V CEO 45 V Collector–Base Voltage V CBO 50 V Emitter–Base Voltage V EBO 5.0 V IC 500 mAdc Collector Current — Continuo...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
  Примечание: Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ BC817-25 (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC817-40 (YJ)
 

BC817 (JSCJ) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC817-40W (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
— 5 шт — — — — —
A+ BC817-25 (DC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ BC817-40 (DC)
 

BC817 (JSCJ) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ BC817-40 (UTC)
 

BC817 (JSCJ) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ PBSS4350X (YJ)
 
SOT-89 1000 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1782-R (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1782-RQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ BC817-25Q (YJ)
 
— 127 шт
 
 — — — —
A+ BC817-25W (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC817-25WQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ BC817-40Q (YJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ BC817-40WQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 SOT-23 H (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ BC337-25 (KLS)
 

BC337-25 (ONS-FAIR) 		— 1000 шт — — — —
A+ BC546B (KLS)
 
— 1 шт — — — —
A+ 2SC4672 SOT-89 180-390 (JSCJ)
 
SOT- 89-3L
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon LBC817-16LT1G LBC817-25LT1G LBC817-40LT1G • We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Collector–Emitter Voltage V CEO 45 V Collector–Base Voltage V CBO 50 V Emitter–Base Voltage V EBO 5.0 V IC 500 mAdc Collector Current — Continuous 1 2 SOT–23 THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic 3 COLLECTOR Symbol Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1) TA = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Total Device Dissipation Alumina Substrate, (2) TA = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Junction and Storage Temperature Max Unit 225 1.8 556 mW mW/°C °C/W 300 2.4 417 –55 to +150 mW mW/°C °C/W °C PD R θJA PD R θJA T J , T stg 1 BASE 2 EMITTER DEVICE MARKING LBC817–16LT1G = 6A; LBC817–25LT1G = 6B; LBC817–40LT1G = 6C ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted.) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit V (BR)CEO 45 — — V V (BR)CES 50 — — V V 5.0 — — V (VCB = 20 V) — — 100 nA (VCB = 20 V, TA = 150°C) — — 5.0 µA OFF CHARACTERISTICS Collector–Emitter Breakdown Voltage (IC = 10 mA) Collector–Emitter Breakdown Voltage (VEB = 0, IC = 10 µA) Emitter–Base Breakdown Voltage (I E = 1.0 µA) Collector Cutoff Current (BR)EBO I CBO 1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in. 2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina. Rev.O 1/10 PDF
Документация на LBC817-25LT1G 

a1

Дата модификации: 24.08.2012

Размер: 480.7 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    MMBT5401 (YJ)