APTR3216P3BT
APTR3216P3BT
Phototransistor
DESCRIPTION
PACKAGE DIMENSIONS
Made with NPN silicon phototransistor chips
FEATURES
3.2 mm x 1.6 mm SMD LED,1.05 mm thickness
Mechanically and spectrally matched to the infrared
emitting LED lamp
Package: 2000 pcs / reel
Moisture sensitivity level: 3
RoHS compliant
APPLICATIONS
Infrared applied systems
Optoelectronic switches
Photodetector control circuits
Senso...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Фототранзистор
- Серия: APTR3216P3
- Корпус: SMD120632X16MM
- Норма упаковки: 10 шт.
Технические характеристики
показать свернутьλ максимальной чувствительности | ||
---|---|---|
Спектральная область чувствительности | ||
Поле зрения | ||
Максимальный ток коллектора | ||
Примечания | Photo Transistor; поверхностный; 1206 (3216 Metric) |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на APTR3216P3BT
APTR3216P3BT(Ver.3)
Дата модификации: 25.12.2018
Размер: 218.1 Кб
4 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.