UMX1N

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors UMX1N DUAL TRANSISTOR (NPN+NPN) FEATURES Two 2SC2412K chips in a SOT-363 package z Mounting possible with SOT-363 automatic mounting machines z Transistor elements are independent, eliminating interference z z Mounting cost and area can be cut in half SOT-363 MARKING:X1 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-6 SOT363
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors UMX1N DUAL TRANSISTOR (NPN+NPN) FEATURES Two 2SC2412K chips in a SOT-363 package z Mounting possible with SOT-363 automatic mounting machines z Transistor elements are independent, eliminating interference z z Mounting cost and area can be cut in half SOT-363 MARKING:X1 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 50 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current -Continuous 150 mA PC Collector Power Dissipation 150 mW TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range -55~+150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Collector-base breakdown voltage Symbol Test conditions Min Typ M ax Unit = V(BR)CBO IC=50μA,IE 0 60 V V(BR)CEO IC=1mA,IB 0 Collector-emitter breakdown voltage = 50 V Emitter-base breakdown voltage = V(BR)EBO IE=50μA,IC 0 7 V Collector cut-off current = VCB=60V,IE 0 ICBO Emitter cut-off current DC current gain Collector-emitter saturation voltage Transition frequency Collector output capacitance www.jscj-elec.com = VEB=7V,IC 0 IEBO hFE VCE=6V,I =C 1mA 120 = VCE=12V,I = C 2mA,f 100MHz = = VCB=12V,IE 0,f 1MHz Cob 1 μA 0.1 μA 560 = IC=50mA,IB 5mA VCE(sat) fT 0.1 0.4 180 2.0 V MHz 3.5 pF Rev. - 2.0 PDF
Документация на UMX1N 

Microsoft Word - UMX1N_SOT-363_.doc

Дата модификации: 29.06.2020

Размер: 4.59 Мб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)