MMBT3906

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT3906 TRANSISTOR (PNP) SOT–23 FEATURES z As complementary type, the NPN transistor MMBT3904 is Recommended z Epitaxial planar die construction 1. BASE 2. EMITTER 2A= Device code Solid dot = Green molding compound device, if none, the normal device. X= Code 2AX 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 28

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= MMBT3906 (UTC)
 

MMBT3906 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 3000 шт
 
P= MMBT3906 (YJ)
 

MMBT3906 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= MMBT3906 (SHIKUES)
 

MMBT3906 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 1 шт
 
P= MMDT3906V (JSCJ)
 
SOT-563
 
P= LMBT3906LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
P= MMBT3906G-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3
 
P= MMBT3906W (SHIKUES)
 
SOT-323-3
 
P= MMST3906 (JSCJ)
 
3000 шт
A+ BC858AW (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
A+ BC858C (YJ)
 

BC858C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC858CW (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
A+ BC858 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2SB1188-Q (YJ)
 
SOT-89
 
A+ 2SB1188-R (YJ)
 
SOT-89
 
A+ BC858A (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ BC858AQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
A+ BC858AT (YJ)
 
SOT-523
 
A+ BC858AWQ (YJ)
 
SOT-323-3
A+ BC858B (YJ)
 

BC858B (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC858BQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
A+ BC858BT (YJ)
 
SOT-523
 
A+ BC858BW (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
A+ BC858BWQ (YJ)
 
SOT-323-3
A+ BC858CQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
A+ BC858CT (YJ)
 
SOT-523
 
A+ BC858CWQ (YJ)
 
SOT-323-3
A+ BC858A (JSCJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ BC858C (SHIKUES)
 

BC858C (DIODES)
SOT-23-3
 

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT3906 TRANSISTOR (PNP) SOT–23 FEATURES z As complementary type, the NPN transistor MMBT3904 is Recommended z Epitaxial planar die construction 1. BASE 2. EMITTER 2A= Device code Solid dot = Green molding compound device, if none, the normal device. X= Code 2AX 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -40 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Continuous -0.2 A PC Collector Dissipation 0.2 W RθJA TJ,Tstg 625 ℃/W Operation Junction and Storage Temperature Range -55~+150 ℃ Thermal resistance junction to ambient ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions MIN MAX UNIT Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=-10μA, IE=0 -40 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC= -1mA, IB=0 -40 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE= -10μA, IC=0 -5 V Collector cut-off current ICBO VCB= -40 V, IE=0 -100 nA Collector cut-off current ICEX VCE=-30V, VBE(off)=-3V -50 nA -100 nA Emitter cut-off current DC current gain IEBO VEB= -5V, IC=0 hFE1 VCE=-1V, IC= -10mA 100 hFE2 VCE= -1V, IC=-50mA 60 hFE3 VCE= -2V, IC=-100mA 30 300 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)1 IC=-50mA, IB=-5mA -0.3 V Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC= -50mA, IB=-5mA -0.95 V Transition frequency fT VCE=-20V,IC=-10mA,f=100MHz Delay Time td Rise Time tr VCC=-3V,VBE=-0.5V IC=-10mA, IB1=IB2=-1mA Storage Time ts Fall Time tf 300 VCC=-3V,IC=-10mA IB1=IB2=-1mA MHz 35 nS 35 nS 225 nS 75 nS CLASSIFICATION OF hFE(1) HFE 100-300 RANK L H RANGE 100–200 200–300 www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.1 PDF
Документация на MMBT3906 

Microsoft Word - MMBT3906 SOT-23 C.doc

Дата модификации: 21.01.2021

Размер: 675.2 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.