D882H

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors D882H TRANSISTOR (NPN) SOT-89-3L FEATURE  Low VCE(sat)  Large current capacity 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAKING: D882H MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 70 V VCEO Collector-Emitter Voltage 70 V VEBO Emitter-B...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ 2SC3303 (JSCJ)
 
TO-251-3L
 
 — — — —
A+ 2SC3303 TO-252-2L (JSCJ)
 
TO2522L
 
 — — — —
A+ 2SD1815 (JSCJ)
 
TO-251-3L
 
 — — — —
A+ 2SD1816G-R-TF3-T (UTC)
 
— в линейках 50 шт — — — —
A+ 2SD1816L-R-TN3-R (UTC)
 
— — — —
A+ 2SD1816L-S-TN3-R (UTC)
 
— — — — —
A+ PZT1816G-S-AA3-R (UTC)
 
— — — — —
A+ UP1753G-AA3-R (UTC)
 
— 1 шт — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors D882H TRANSISTOR (NPN) SOT-89-3L FEATURE  Low VCE(sat)  Large current capacity 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAKING: D882H MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 70 V VCEO Collector-Emitter Voltage 70 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current 3 A PC Collector Power Dissipation 500 mW RΘJA Thermal Resistance from Junction to Ambient 250 ℃/W RΘJC Thermal Resistance from Junction to Case 35 ℃/W -55～+150 ℃ TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage = IC=100µA, IE 0 V(BR)CBO 70 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO = IC=10mA, IB 0 70 V Emitter-base breakdown voltage = IE=100µA, IC 0 V(BR)EBO 6 V Collector cut-off current = VCB=40V, IE 0 ICBO 1 µA Collector cut-off current = VCE=30V, IB 0 ICEO 10 µA 1 µA = VEB=6V, IC 0 IEBO Emitter cut-off current = VCE=2V, IC 1A hFE DC current gain 60 400 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=2A, IB= 0.2A 0.5 V Base-emitter saturation voltage VBE(sat) = IC=2A, IB 0.2A 1.5 V fT Transition frequency V= = CE=5V,I C 0.1A,f 10MHz 50 MHz CLASSIFICATION of hFE Rank R O Y GR Range 60-120 100-200 160-320 200-400 www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.1 PDF
Документация на D882H 

Microsoft Word - D882H SOT-89-3L A-1.doc

Дата модификации: 10.11.2020

Размер: 698.7 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)