CJX3139K
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-563 Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJ;3139K
Dual P-Channel Power MOSFET
V(BR)DSS
ID
RDS(on)MAX
SOT-563
520mΩ@-4.5V
700mΩ@-2.5V
-20 V
-0.66A
950mΩ(TYP)@-1.8V
GENERRAL DESCRIPTION
This Dual P-Channel MOSFET has been designed using advanced
Power Trench process to optimize the RDS(ON).
Including two P-ch CJ3139K MOSFET (independently) in...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT-563
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-563 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на CJX3139K
Microsoft Word - CJ3139KDW_SOT-363_ A.doc
Дата модификации: 29.04.2019
Размер: 2.79 Мб
5 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.