CJV01N65B
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-92 Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJV01N65B
N-Channel Power MOSFET
V(BR)DSS
RDS(on)MAX
650 V
14Ω@ 10V
ID
1A
GENERAL DESCRIPTION
This advanced high voltage MOSFET is designed to stand
high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new
high energy device also offers a drain-to-source diode fast
recovery time. Desighed for ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO-92-3
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO-92-3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на CJV01N65B
Microsoft Word - CJV01N65B TO-92 A-1.doc
Дата модификации: 10.07.2020
Размер: 629.5 Кб
5 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.