Вход / Регистрация

CJTL2R0SN10C4

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TOLL-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJTL2R0SN10C4 N-Channel Power MOSFET RDS(on)TYP V(BR)DSS 1.6mΩ@10V 100V TOLL-8L ID 9 280A 10 11 2.3mΩ@6V DESCRIPTION 1234 The CJTL2R0SN10C4 uses shielded gate trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and swi...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TOLL8L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ NCEP023N10T (NCE)
 
TO-247-3 1 шт ± — — —
A+ NCEP01T30T (NCE)
 
TO-247-3 ± — — —
A+ NCEP020N10LL (NCE)
 
— в ленте 10 шт
 
 ± — — —
A+ NCEP023N10LL (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ NCEP026N10LL (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ CRSZ025N10NZ (CRMICRO)
 
—
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TOLL-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJTL2R0SN10C4 N-Channel Power MOSFET RDS(on)TYP V(BR)DSS 1.6mΩ@10V 100V TOLL-8L ID 9 280A 10 11 2.3mΩ@6V DESCRIPTION 1234 The CJTL2R0SN10C4 uses shielded gate trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(on) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. It can be used in a wide variety of applications. 5678 FEATURES  High Power and current handing capability  Good stability and uniformity with high EAS  Load switch  Excellent package for good heat dissipation  High density cell design for ultra low RDS(ON)  Lead free product is acquired APPLICATIONS   DC/DC Converter Ideal for high-frequency switching and synchronous EQUIVALENT CIRCUIT MARKING D TL2R0SN10C4 = Part No. D 9 D 10 11 Solid dot = Pin1 indicator. XXXX = Code. 1 G 2 3 S S S 5 4 S S 6 7 S 8 S MAXIMUM RATINGS ( TA=25℃ unless otherwise noted ) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current ID 280 A Pulsed Drain Current IDM① ② 1120 A Single Pulsed Avalanche Energy EAS ③ TBD mJ Power Dissipation PD ① 330 W RθJA ⑥ 32.8 ℃/W RθJC ① 0.45 ℃/W -55~+175 ℃ Thermal Resistance from Junction to Ambient Thermal Resistance from Junction to Case TJ ,Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range www.jscj-elec.com ① 1 Rev. - 1.0 PDF
Документация на CJTL2R0SN10C4 

03_CJTL2R0SN10C4_TOLL-8L_V1.0(Preliminary) JSCJ

Дата модификации: 15.03.2024

Размер: 983.5 Кб

6 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    30 октября 2024
    новость

    Электронные компоненты китайских производителей для построения домашних накопителей энергии

    Помимо заводских цехов и офисов, накопители электроэнергии на основе аккумуляторов большой емкости все чаще встречаются в быту. Они решают такие задачи, как: накопление электроэнергии от устройств «зеленой» генерации (солнечных панелей, ветряков)... ...читать

    03 мая 2024
    новость

    IGBT-транзисторы JSCJ в новом корпусе TOLL

    Быстродействие силовых транзисторов постоянно растет. Этот процесс вызван необходимостью уменьшать размеры оборудования, особенно преобразователей напряжения. Чтобы индуктивности и трансформаторы были компактнее, нужно повышать рабочие частоты... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)