CJQ4435

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD    ! "#  CJQ4435 P-Channel Power MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)TYP 14mΩ@ -10V -30V SOP8 -9.1A 18mΩ@ -4.5V DESCRIPTION The CJQ4435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on), shoot-through immunity, body diode characteristics and ultra-low gate resistance. This device is ideally suited for use ...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть

Публикации 1

показать свернуть
04 августа 2023
новость

Компоненты JSCJ для обвязки MEMS

Микроэлектромеханические системы (MEMS) прочно заняли нишу измерительных и контролирующих устройств во многих областях применения. Они широко используются в измерительных приборах, медицине, промышленных, автомобильных и авиакосмических системах.... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.