CJQ4435
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
! "#
CJQ4435
P-Channel Power MOSFET
V(BR)DSS
ID
RDS(on)TYP
14mΩ@ -10V
-30V
SOP8
-9.1A
18mΩ@ -4.5V
DESCRIPTION
The CJQ4435 uses advanced trench technology to provide excellent
RDS(on), shoot-through immunity, body diode characteristics and ultra-low gate
resistance. This device is ideally suited for use ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SO-8 SOIC8
- Норма упаковки: 4000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SO-8 SOIC8 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на CJQ4435
Microsoft Word - CJQ4435 SOP8 C.doc
Дата модификации: 22.08.2020
Размер: 4.3 Мб
6 стр.
Публикации 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.