CJMPD08

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2×2-6L-A Plastic-Encapsulat MOSFETS CJMPD08 P-Channel Power MOSFET V(BR)DSS DFNWB2×2-6L-A ID RDS(on)TYP 35mΩ@-4.5 V -12V -3.6 A 48mΩ@-2.5 V 65mΩ@-1.8V General Description The CJMPD08 uses advanced trench technology and design to Provide excellent RDS(on) with low gate charge. This device is suitable for use in DCDC conversion appl...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.