CJMPD08
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
DFNWB2×2-6L-A Plastic-Encapsulat MOSFETS
CJMPD08
P-Channel Power MOSFET
V(BR)DSS
DFNWB2×2-6L-A
ID
RDS(on)TYP
35mΩ@-4.5 V
-12V
-3.6 A
48mΩ@-2.5 V
65mΩ@-1.8V
General Description
The CJMPD08 uses advanced trench technology and design to Provide
excellent RDS(on) with low gate charge. This device is suitable for use in DCDC conversion appl...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на CJMPD08
Microsoft Word - CJMPD08_DFNWB2x2-6L_.doc
Дата модификации: 11.11.2020
Размер: 2.16 Мб
5 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.