CJK3415

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK3415 P-Channel 20-V(D-S) 20V(D-S) MOSFET MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX SOT-23-3L 50mΩ@-4.5V -4.0A 60mΩ@-2.5V -20V 100mΩ@-1. 8V 1. GATE 2. SOURCE FEATURE Excellent RDS(ON), low gate charge,low gate voltages 3. DRAIN D APPLICATIONS Load switch and in PWM applicatopns Equivalent Circuit MARKI...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT233L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK3415 P-Channel 20-V(D-S) 20V(D-S) MOSFET MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX SOT-23-3L 50mΩ@-4.5V -4.0A 60mΩ@-2.5V -20V 100mΩ@-1. 8V 1. GATE 2. SOURCE FEATURE Excellent RDS(ON), low gate charge,low gate voltages 3. DRAIN D APPLICATIONS Load switch and in PWM applicatopns Equivalent Circuit MARKING: R15 D G S Maximum ratings (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -20 Gate-Source Voltage VGS ±8 Continuous Drain Current (t≤10s) ID -4.0 A Maximum Power Dissipation (t≤10s) PD 0.30 W RθJA 417 ℃/W TJ,TSTG -55 ~+150 ℃ Thermal Resistance from Junction to Ambient Operation Junction and Storage Temperature Range www.jscj-elec.com 1 V Rev. - 2.0 PDF
Документация на CJK3415 

Microsoft Word - CJ3415_SOT-23_.doc

Дата модификации: 09.07.2020

Размер: 627.9 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)