CJK2009

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK2009 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor V(BR)DSS ID RDS(on)MAX 25mΩ@-4.5V -20V SOT-23-3L 3 1 -9A 2 30mΩ@-2.5V Application Feature   Advanced trench MOSFET process technology Ultra low on-resistance with low gate charge    MARKING PWM application Load switch Battery char...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJT03P10

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT233L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJK2009 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor V(BR)DSS ID RDS(on)MAX 25mΩ@-4.5V -20V SOT-23-3L 3 1 -9A 2 30mΩ@-2.5V Application Feature   Advanced trench MOSFET process technology Ultra low on-resistance with low gate charge    MARKING PWM application Load switch Battery charge in cellular handset Equivalent Circuit D G S Maximum ratings ( Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage VGS ±12 V Continuous Drain Current ID -9 A Power Dissipation PD 450 mW RθJA 278 ℃/W TJ,TSTG -55~+150 ℃ Thermal Resistance from Junction to Ambient Operation Junction and Storage Temperature Range www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.1 PDF
Документация на CJK2009 

Microsoft Word - CJ3401_SOT-23_.doc

Дата модификации: 29.03.2021

Размер: 659.4 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)