CJ4612SP

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD CSP Enhancement Mode Power MOSFET CJ4612SP Dual N-Channel MOSFET 9666 ,6 566 RQ 7<3 CSPB1313-4 30 mΩ@4.5V 31 mΩ@4.0V 22V 6A 32 mΩ@ 3.8V 35 mΩ@3.1V 42mΩ@ 2.5V DESCRIPTION The CJ4612SP uses advanced trench technology to provide excellent RSS(ON) , low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V while retaining a 12V ...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJ4404SP

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJS3404A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — —
A+ YJSD12N03A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — —
A+ YJQD12N03A (YJ)
 
—
 
 — —
A+ AO4832 (YOUTAI)
 
— 3000 шт
 
 — —
A+ CJQ4822 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
 ± — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD CSP Enhancement Mode Power MOSFET CJ4612SP Dual N-Channel MOSFET 9666 ,6 566 RQ 7<3 CSPB1313-4 30 mΩ@4.5V 31 mΩ@4.0V 22V 6A 32 mΩ@ 3.8V 35 mΩ@3.1V 42mΩ@ 2.5V DESCRIPTION The CJ4612SP uses advanced trench technology to provide excellent RSS(ON) , low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a unidirectional or bi-directional load switch, facilitated by its common-drain configuration. Marking and pin assignment Equivalent Circuit G2 G1 S2 S1 Marking: 1. 4612: Product Code 2. YYMM: Date Code 3. Solid dot: Pin 1 Absolute Maximum Ratings (TA =25℃unless otherwise noted) Symbol Parameter Limit Unit VSSS Source to Source Voltage 22 V VGSS Gate-Source Voltage ±12 V IS Source Current(DC) 1 6 A ISP Source Current (Pulse) 1,2 60 A PT Total Dissipation 1 1.4 W Tch Channel Temperature 150 ℃ TSTG Storage Temperature -55 To 150 ℃ Note 1 Mounted on FR4 board ( 25.4 mm  25.4 mm  t1.0 mm ) using the minimum recommended pad size (36m Copper ). 2 t = 10 s, Duty Cycle  1 % www.jscj-elec.com 1 Rev. - 3.3 PDF
Документация на CJ4612SP 

Author: Administrator

Дата модификации: 16.12.2021

Размер: 1.44 Мб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)