CJ3139KDW
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETs
CJ3139KDW
Dual P-Channel Power MOSFET
V(BR)DSS
m
SOT-363
ID
RDS(on)MAX
A
95m(TYP) -18
GENERRAL DESCRIPTION
This Dual P-Channel MOSFET has been designed using advanced
Power Trench process to optimize the RDS(ON).
Including two P-ch CJ3139K MOSFET (independe...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT-323-6 SOT363
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-323-6 SOT363 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на CJ3139KDW
Microsoft Word - CJ3139KDW_SOT-363_ A.doc
Дата модификации: 02.06.2021
Размер: 553.3 Кб
5 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.