CJ2305A

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ2305A P-Channel MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX 50mΩ@-4.5V 65mΩ@-2.5V -12 V SOT-23 -4.1A 120mΩ@-1.8V 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION Load Switch for Portable Devices z DC/DC Converter z FEATURE z TrenchFET Power MOSFET Equivalent Circuit MARKING S5A4' (     !45$ , , ...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJ2305A

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ2305A P-Channel MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)MAX 50mΩ@-4.5V 65mΩ@-2.5V -12 V SOT-23 -4.1A 120mΩ@-1.8V 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION Load Switch for Portable Devices z DC/DC Converter z FEATURE z TrenchFET Power MOSFET Equivalent Circuit MARKING S5A4' (     !45$ , , 2n (  # ,, !" ,$  ( Maximum ratings (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit Drain-Source Voltage VDS -12 Gate-Source Voltage VGS ±8 Continuous Drain Current ID -4.1 Continuous Source-Drain Diode Current IS -0.8 PD 1.3 W RθJA 96.2 ℃/W TJ,TSTG -50 ~+150 ℃ Maximum Power Dissipation d Thermal Resistance from Junction to Ambient d Operation Junction and Storage Temperature Range www.jscj-elec.com 1 V A Rev. - 1.3 PDF
Документация на CJ2305A 

CJ2305A SOT-23 V1.3

Дата модификации: 07.03.2022

Размер: 860.1 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)