CJ2101 SOT-323
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJ2101 P-Channel MOSFET
V(BR)DSS
ID
RDS(on)MAX
100 mΩ@-4.5V
-20V
SOT-323
3
-1.4A
140m Ω@-2.5V
1. GATE
2. SOURCE
3. DRAIN
210 mΩ@-1.8V
1
2
APPLICATION
z
High Side Load Switch
Charging Circuit
z
z
Single Cell Battery Applications such as
Cell Phones, Digital Cameras ,PDAs, etc
FEATURE
z Leading Tren...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на CJ2101 SOT-323
Microsoft Word - CJ2101_SOT-323_.doc
Дата модификации: 10.04.2023
Размер: 856.5 Кб
5 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.