BCV47

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors BCV47 TRANSISTOR (NPN) SOT–23 FEATURES  High Collector Current  High Current Gain MARKING:FG 1. BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter 2. EMITTER Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 10...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= BCV47 (SHIKUES)
 
SOT-23-3
 
 — — — — — — — — — — —
A+ MMBTA28 (JSCJ)
 

MMBTA28 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors BCV47 TRANSISTOR (NPN) SOT–23 FEATURES  High Collector Current  High Current Gain MARKING:FG 1. BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter 2. EMITTER Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 10 V IC Collector Current 500 mA PC Collector Power Dissipation 300 mW RΘJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 416 ℃/W TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range -55～+150 ℃ 3. COLLECTOR ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=100µA, IE=0 80 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=10mA, IB=0 60 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=10µA, IC=0 10 V Collector cut-off current ICBO VCB=60V, IE=0 0.1 µA Emitter cut-off current IEBO VEB=4V, IC=0 0.1 µA hFE(1) VCE=1V, IC=100µA 2000 hFE(2) VCE=5V, IC=10mA 4000 hFE(3) VCE=5V, IC=100mA 10000 hFE(4) VCE=5V, IC=0.5A 2000 DC current gain Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=100mA, IB=0.1mA 1 V Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=100mA, IB=0.1mA 1.5 V Transition frequency Collector output capacitance www.jscj-elec.com fT Cob VCE=5V,IC=50mA, f=100MHz 170 MHz VCB=10V, IE=0, f=1MHz 3.5 pF 1 Rev. - 2.2 PDF
Документация на BCV47 

BCV47 SOT-23 V2.2

Дата модификации: 25.03.2022

Размер: 1.17 Мб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)