BC807W

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors BC807W TRANSISTOR (PNP) SOT-323 FEATURES z Ldeally suited for automatic insertion z Epitaxial planar die construction z Complementary to BC817W 1. BASE 2. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -50 V VCEO Collector-...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= BC807-40W (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= LBC807-40WT1G (LRC)
 
SOT-323-3
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP
P= BC807-40 (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= BC807-16W (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
 — — — —
P= BC807-25W (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors BC807W TRANSISTOR (PNP) SOT-323 FEATURES z Ldeally suited for automatic insertion z Epitaxial planar die construction z Complementary to BC817W 1. BASE 2. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -50 V VCEO Collector-Emitter Voltage -45 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Continuous -0.5 A PC Collector Power Dissipation 0.2 W Thermal Resistance from  Junction to Ambient 6 ℃/W -55~+150 ℃ RθJA TJ,Tstg Storage Temperature 3. COLLECTOR ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Max Unit Collector-base breakdown voltage VCBO IC=-10μA,IE=0 -50 V Collector-emitter breakdown voltage VCEO IC=-10mA,IB =0 -45 V Emitter-base breakdown voltage VEBO IE=-1μA,IC =0 -5 V Collector cut-off current ICBO VCB=-20 V , IE=0 -0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB=-5 V , IC=0 -0.1 μA hFE(1) VCE=-1V,IC= -100mA 100 hFE(2) VCE=-1V,IC= -500mA 40 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=-500mA,IB=-50 mA -0.7 V Base-emitter VBE(on) VCE= -1V,IC= -500mA -1.2 V DC current gain voltage Transition frequency fT Collector output capacitance Cob VCE=-5 V, IC= -10mA f=100MHz VCB=-10V,f=1MHz 600 80 MHz 10 pF CLASSIFICATION of hFE (1) Rank Range Marking www.jscj-elec.com BC807-16W BC807-25W BC807-40W 100-250 160-400 250-600 5A 5B 5C 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на BC807W 

Microsoft Word - BC807W_SOT-323_.doc

Дата модификации: 15.05.2020

Размер: 644.1 Кб

4 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    07 июня 2024
    новость

    Высокопроизводительный частотный преобразователь на базе компонентов JSCJ

    Благодаря постоянному развитию промышленной автоматизации, расширению областей применения и все более широкому использованию электроприводов с частотными преобразователями технология их создания также постоянно совершенствуется и развивается. В... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)