2SC3052

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors 2SC3052 SOT-23 TRANSISTOR (NPN) FEATURES z z 1. BASE Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)=0.3V max(@IC=100mA,IB=10mA) Excellent linearity of DC forward current gain 2. EMITTER 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collect...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
— в ленте 5 шт — — — — —
A+ BC817-25 (DC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ BC817-40 (DC)
 

BC817 (JSCJ) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ BC817-40 (UTC)
 

BC817 (JSCJ) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC546B (KLS)
 
— 1 шт — — — —
A+ 2SC4672 SOT-89 180-390 (JSCJ)
 
SOT- 89-3L
 
 — — — —
A+ 2SD1616A (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
 — — — —
A+ 2SD1616A 200-400 (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
 — — — —
A+ 2SD1616A TO-92 (JSCJ)
 
TO-92-3 — — — —
A+ BCW66H (JSCJ)
 
— в ленте 1200 шт
 
 — — — —
A+ 2SD2391 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ CXT5551 120-180 (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
 — — — —
A+ MMBT1616A (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 20 шт
 
 — — — —
A+ MMBT1616A SOT-23 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ 2SD1615 (SHIKUES)
 
—
 
 — — — —
A+ 2SD1899K (SHIKUES)
 
TO2522L
 
 — — — —
A+ LBSS4250Y3T1G (LRC)
 
SOT-89
 
 — — — — —
A+ LBTN660Z4TZHG (LRC)
 
—
 
 — — — — —
A+ 2SC4672G-A-AB3-R (UTC)
 
SOT-89 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors 2SC3052 SOT-23 TRANSISTOR (NPN) FEATURES z z 1. BASE Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)=0.3V max(@IC=100mA,IB=10mA) Excellent linearity of DC forward current gain 2. EMITTER 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector- Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 50 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current -Continuous 0.2 A PC Collector Power Dissipation 150 mW TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range -55-150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Test conditions Symbol Collector-base breakdown voltage V (BR) CBO IC = 100 μA, Collector-emitter breakdown voltage V (BR) CEO Emitter-base breakdown voltage Min Max Unit 50 V IC = 100 μA, IB=0 50 V V (BR) EBO IE= 100 μA, IC=0 6 V Collector cut-off current ICBO VCB= 50 V , IE=0 0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB= 6V , IC=0 0.1 μA hFE(1) VCE= 6V, IC= 1mA 150 VCE= 6V, IC= 0.1mA 50 DC current gain hFE(2) IE=0 800 Collector-emitter saturation voltage VCE (sat) IC=100mA, IB= 10mA 0.3 V Base-emitter saturation voltage VBE (sat) IC= 100mA, IB= 10mA 1 V fT Transition frequency VCE= 6V, IC= 10mA Collector output capacitance Cob VCB=6V, IE=0, f=1MHz Noise figure NF VCE=6V,IE=-0.1mA, f=1KHz, RG=2KΩ 180 MHz 4 pF 15 dB CLASSIFICATION OF hFE(1) Rank Range Marking www.jscj-elec.com E F G 150~300 250~500 400~800 LE LF LG 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на 2SC3052 

Microsoft Word - 2SC3052_SOT-23_.doc

Дата модификации: 14.05.2020

Размер: 668.5 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)