2SB624

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors 2SB624 SOT-23 TRANSISTOR (PNP) FEATURES 1.BASE 2.EMITTER 3.COLLECTOR High DC current gain. hFE:200 TYP.(VCE=-1V,IC=-100mA) Complimentary to 2SD596. z z MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -30 V VCEO Collector-Emitter Voltag...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Документация на 2SB624 

Microsoft Word - 2SB624_SOT-23_.doc

Дата модификации: 14.05.2020

Размер: 644.6 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.