2SA812
JIANGSU CHANGJING ELECTRONIC6 TECHNOLOGY CO., LTD
S27Plastic-Encapsulate Transistors
2SA812
SOT-23
TRANSISTOR (PNP)
Unit : mm
1. BASE
FEATURES
Complementary to 2SC1623
z
High DC Current Gain: hFE=200 TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA)
z
High Voltage: Vceo=-50V
z
2. EMITTER
3. COLLECTOR
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCBO
Collector-Base Voltage
-6...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Биполярный транзистор
- Корпус: SOT-23-3
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-23-3 | |
---|---|---|
Тип проводимости и конфигурация | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Напряжение КЭ максимальное | ||
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии | ||
Ток коллектора | ||
Граничная рабочая частота | ||
Коэффициент усиления по току |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на 2SA812
Microsoft Word - 2SA812_SOT-23_.doc
Дата модификации: 14.05.2020
Размер: 713 Кб
4 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.